Samsung می گوید V-NAND جدید با 300 لایه، برای سال 2024 در راه است

سامسونگ به‌عنوان بزرگ‌ترین تامین‌کننده حافظه NAND در جهان، برنامه‌های بزرگی برای توسعه V-NAND خود (که این شرکت آن را 3D NAND می‌نامد) دارد – که برخی از آنها را این هفته به اشتراک گذاشت.

این شرکت تایید کرد که در مسیر تولید حافظه V-NAND نسل نهم خود با بیش از 300 لایه در سال 2024 است و گفت که بیشترین تعداد لایه های فعال را در صنعت خواهد داشت.

Jung-Bae Lee، مدیر و رئیس کسب و کار حافظه در Samsung Electronics در این باره نوشت: «نسل نهم V-NAND برای تولید انبوه در اوایل سال آینده با بالاترین تعداد لایه‌های صنعت بر اساس ساختار دو پشته‌ای به خوبی در راه است.

در ماه آگوست متوجه شدیم که سامسونگ در حال کار بر روی نسل نهم V-NAND با بیش از 300 لایه است که فناوری دو پشته‌ای را که برای اولین بار توسط سامسونگ در سال 2020 پذیرفته شد حفظ خواهد کرد.

سامسونگ نه تنها تایید کرد که با حافظه غیرفرار نسل بعدی خود در راه است، بلکه گفته می شود که لایه های فعال تری نسبت به حافظه 3D NAND رقبا خواهد داشت.

تا کنون می دانیم که نسل بعدی 3D NAND SK Hynix دارای 321 لایه فعال خواهد بود، بنابراین به نظر می رسد که سامسونگ انتظار دارد حافظه آن بیشتر باشد.

افزایش تعداد لایه ها، سامسونگ را قادر می سازد تا تراکم ذخیره سازی دستگاه های 3 بعدی NAND خود را افزایش دهد.

این شرکت انتظار دارد که انواع حافظه های فلش آینده نه تنها تراکم ذخیره سازی، بلکه عملکرد بالایی را نیز به دست آورند.

Jung-Bae Lee می‌گوید: «سامسونگ همچنین روی نسل بعدی فناوری‌های ارزش‌آفرین کار می‌کند، از جمله ساختار جدیدی که سرعت ورودیخروجی (IO) V-NAND را به حداکثر می‌رساند.

ما نمی دانیم که از نظر عملکرد از نسل نهم V-NAND سامسونگ چه انتظاری داریم، اگرچه مطمئن هستیم که این شرکت از این حافظه برای SSD های آینده خود استفاده خواهد کرد.شاید در این زمان است که شاهد SSD های خرده فروشی این شرکت با رابط PCIe Gen5 باشیم – جانشینان سری 990 Pro سامسونگ که در حال حاضر جزو بهترین SSD ها هستند.

تا آنجا که به نوآوری‌های فناوری درازمدت مربوط می‌شود، سامسونگ متعهد به به حداقل رساندن تداخل سلولی، کاهش ارتفاع و به حداکثر رساندن تعداد لایه‌های عمودی است که به آن امکان می‌دهد به کوچکترین اندازه سلول در صنعت دست یابد.

این نوآوری‌ها در پیشبرد دیدگاه سامسونگ برای ایجاد NAND سه بعدی با بیش از 1000 لایه و همچنین راه‌حل‌های حافظه بسیار متمایز، و در حصول اطمینان از اینکه پیشنهادات این شرکت برای مراکز داده، رایانه‌های شخصی و سایر برنامه‌ها مرتبط باقی می‌مانند، مفید خواهد بود.