اس کی هاینکس روش انقلابی در بسته‌بندی حافظه fan-out را با ترکیبی از I/O وسیع با هزینه پایین راه‌اندازی می‌کند!

گزارش شده اس‌کی هاینکس بر روی یک نوع جدید از حافظه کار می‌کند که ترکیبی از رابطه وسیع با هزینه‌های پایین‌تر نسبت به HBM solutions خواهد بود.

در مرکز فناوری اس‌کی هاینکس، یک ایده ساده اما موثر قرار دارد: قرار دادن دو دستگاه حافظه درام کنار هم و ادغام آنها به عنوان یک واحد با استفاده از روش بسته‌بندی سطح تخته‌ای فن‌اوت 2.5D.

این کار نیاز به لایه اضافی زیر دستگاه‌ها (که برای دستگاه‌های حافظه دو تراشه‌ای مورد استفاده قرار می‌گیرند) را از بین می‌برد که منجر به ظهور تراشه‌های باریک‌تر و ساخت یک دستگاه حافظه با رابطه وسیع‌تر می‌شود.این تغییر بزرگی نسبت به روش معمول ساخت تراشه‌های حافظه چند تراشه‌ای است. این نشان‌دهنده حرکت اس‌کی هاینکس به سمت روش‌های جدیدی است که می‌تواند ترکیبی از رابطه‌های وسیع و بهره‌وری هزینه را داشته باشد.

در حال حاضر دستگاه‌های حافظه GDDR6 و LPDDR5X با یک واسطه 32 یا 64 بیتی ارائه می‌شوند، در حالی که پشته‌های HBM از یک واسطه 1024 بیتی بهره می‌برند که از نظر پهنای باند اوجی بسیار بالاتری نسبت به سرعت انتقال داده‌های پایین‌تری برخوردار هستند.

با این حال، برای ساخت یک دستگاه HBM، شرکت‌هایی مانند اس‌کی هاینکس باید چندین دستگاه حافظه را روی هم قرار دهند، در این روش حافظه ها با استفاده از TSVها به هم متصل شذه و روی یک لایه پایه قرار می گیرند و سپس آن‌ها را به کمک یک اینترپوزر به پردازنده میزبان متصل می کنند.

با توجه به پیچیدگی‌های موجود، HBM بسیار گران قیمت است. به همین دلیل استفاده از آن بیشتر در حوزه دیتاسنتر و سرویس‌های ارتباطی انجام می‌شود – و دلیلی است که معماری‌های Fiji و Vega شرکت AMD نتوانستند سودآوری خوبی داشته باشند.

در مقابل، DRAM SK Hynix که با استفاده از FOWLP 2.5 بعدی ساخته شده است، از TSV ها صرف نظر می کند و interposer ها را حذف می کند و هزینه آن را تا حد زیادی کاهش می دهد. در همین حال، دستگاه های حافظه به دست آمده دارای یک رابط نسبتاً گسترده هستند (ما حداقل 128 بیت را فرض می کنیم) و بنابراین پهنای باند هر تراشه بالاتر است.

 استفاده از حافظه های 2.5D Fan-out توسط SK Hynix

شرکت SK Hynix یکی از بزرگترین تولید کنندگان حافظه در جهان است که اخیرا معرفی نوع جدیدی از حافظه های DRAM با نام 2.5D Fan-out کرده است. گزارش ها حاکی از آن است که یکی از دلایل اصلی استفاده از این نوع جدید حافظه توسط این شرکت کاهش هزینه هاست.

متاسفانه میزان دقیق هزینه های این حافظه ها مشخص نیست اما فرض بر این است که هزینه تولید آنها بالاتر از حافظه های LPDDR و GDDR باشد اما همچنان بسیار پایین تر از حافظه های HBM باشد.

سوال مهم دیگر این است که آیا این حافظه های 2.5D Fan-out توسط هر نرم افزار و سخت افزار موجود پشتیبانی می شوند یا خیر. به نظر می رسد که در ابتدا این حافظه ها تنها در دستگاه های ویژه ای مورد استفاده قرار می گیرند که با استراتژی شرکت مبنی بر تولید حافظه هایی با میزان تولید کمتر اما ویژه تر همخوانی دارد.